发明名称 使用浅沟槽隔离(STI)技术制成之隔离层之升高温度化学机械研磨方法
摘要 一种化学机械研磨之方法,系研磨以浅沟槽隔离技术为基础的隔离层,利用含有重量5至12.5%之胶质矽土的硷性研磨浆,其中该研磨浆是在摄氏35到80度施加于晶圆表面,可增加关于除去矽土速率相对于除去矽氮化物速率的研磨选择度。
申请公布号 TW525246 申请公布日期 2003.03.21
申请号 TW090131270 申请日期 2001.12.18
申请人 拜耳厂股份有限公司 发明人 克里斯;普罗德;闽俊国;陈丽梅
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 蔡中曾 台北市大安区敦化南路一段二四五号八楼
主权项 1.一种化学机械研磨之方法,利用含有重量5至12.5%胶质矽土研磨料的硷性研磨浆,其特征在于该研磨浆在摄氏35到80度施加于晶圆表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于研磨浆于摄氏65到75度施加。3.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于研磨浆含有重量6至10%的胶质矽土研磨料。4.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于研磨浆含有重量8至15%的金属氟化物。5.如申请专利范围第4项之方法,其特征在于金属氟化物为由氟化锂、氟化钠、氟化钾组成族群中选出。6.如申请专利范围第5项之方法,其特征在于金属氟化物为氟化钾。7.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于用以研磨矽土及矽氮化物之合成材料。8.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于在摄氏22度时研磨浆之pH値高于10.5。9.申请专利范围第1项之方法,其特征在于胶质矽土之平均粒子大小为10奈米至1微米。10.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于基于浅沟槽隔离(STI)技术之隔离层被研磨。
地址 德国