| 主权项 |
1.一种半导体元件之制造方法,此种半导体元件具有一基质(1)及一设置在基质(1)上的电极柱(7,9',11',13),此电极柱(7,9',11',13)具有一聚矽物电极层(7)及一位于该聚矽物电极层上方的含有钨的电极层(9'),本发明之半导体元件制造方法的步骤如下:首先准备一个基质(1);沉积出由聚矽物层(7)、位于聚矽物层(7)之上的先驱层(9)、以及位于先驱层(9)之上的保护层(11)的层状结构;以第一个温度(11)进行热处理,使含有钨的先驱层(9)的结晶发生变化,以形成电极层(9');形成由电极柱(7,9',11',13)构成的层状结构;以第二个温度(T2)进行热处理,使聚矽物层(7)氧化,以形成侧壁间隔衬垫(13),第二个温度(T2)需低于第一个温度(T1),以避免电极层(9')的结晶发生变化。2.如申请专利范围第1项的方法,其特征为:以第一个温度(T1)进行热处理时,会在先驱层(9)内造成晶粒生长及/或相位转换,以及电阻降低的效果。3.如申请专利范围第1或第2项的方法,其特征为:含有钨的先驱层(9)系由矽化钨构成,且第一个温度(T1)介于900--1080℃之间。4.如申请专利范围第1或第2项的方法,其特征为:含有钨的先驱层(9)系由钨(9b)构成,且第一个温度(T1)介于900--1080℃之间。5.如申请专利范围第4项的方法,其特征为:在形成层状结构时,在由钨构成的含有钨的先驱层(9)下方沉积出一个由氮化钨构成的扩散阻挡层(9a)。6.如申请专利范围第1项的方法,其特征为:保护层(11)经由一光刻步骤变成一个硬式掩膜(11'),并利用此一硬式掩膜(11')经由蚀刻步骤形成制程所需的层状结构。7.如申请专利范围第1项的方法,其特征为:第二个温度(T2)介于800--850℃之间。8.如申请专利范围第1项的方法,其特征为:电极柱(7,9',11',13)系一种位于基质上的栅极氧化物层(5)上的栅电极柱。图式简单说明:第1a--e图:显示本发明之半导体制造方法的一种实施方式的重要步骤的示意图。第2图:显示本发明之半导体制造方法的另一种实施方式。 |
