| 主权项 |
1.一种半导体制造装置,其特征为包含有:支持产品晶圆之支台;照射曝光用光线之照明系统;标线,具有焦点偏移値管理用之试验图案、及产品图案,前述照明系统之照射光线可透过;投影光学系统,用以将透过前述标线之试验图案与产品图案之透过光线,以所期望之焦点偏移値,投影于前述产品晶圆上;及调整部,以曝光于前述产品晶圆之试验图案之尺寸所测定之结果为基准,用以调整前述投影光学系统之焦点偏移値。2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中前述标线之试验图案,系具有对于焦点偏移値之变动其尺寸变动大之第1试验图案,及对于焦点偏移値之变动其尺寸变动小之第2试验图案。3.如申请专利范围第2项之半导体制造装置,其中前述试验图案,系具有作为前述第1试验图案之孤立线条图案,及作为前述第2试验图案之线条与空间图案。4.如申请专利范围第2项之半导体制造装置,其更具有:测定部,用以测定曝光于前述晶圆之试验图案之第1试验图案之尺寸,及前述第2试验图案之尺寸;以及演算部,用以由前述测定部所测定之各试验图案之尺寸中演算其尺寸差,更从新演算之尺寸差中演算前述焦点偏移値,前述调整部,系以由前演算部所演算之焦点偏移値为基准,调整前述投影光学之焦点偏移値。5.如申请专利范围第1项之半导体制造装置,其中前述标线,系在复数处更具有前述试验图案。6.一种半导体装置之制造方法,其特征为,包含有:对于产品晶圆将产品图案曝光之同时,亦使焦点偏移値管理用之试验图案曝奈的曝光步骤;使前述曝光步骤所曝光之前述产品晶圆显影的显影步骤;用以测定于前述显影步骤所显影之试验图案之尺寸的测定步骤;及以于前述测定步骤所测定之试验图案之尺寸为基准,用以演算半导体制造装置之焦点偏移値的演算步骤。7.如申请专利范围第6项之制造方法,其中,于前述测定步骤所测定之试验图案之尺寸,系随焦点偏移値之变动而变动。8.如申请专利范围第7项之制造方法,其中,于前述曝光步骤所曝光之试验图案,系具有对于焦点偏移値之变动其尺寸变动大之第1试验图案,及对于焦点偏移値之变动其尺寸变动小之第2试验图案,在前述测定步骤中,分别测定前述试验图案之第1试验图案及第2试验图案之尺寸,在前述演算步骤中,分别演算于前述测定步骤所测定之第1试验图案之尺寸,及第2试验图案之尺寸的尺寸差,同时以所演算之尺寸差为基准再度演算焦点偏移値。9.如申请专利范围第8项之制造方法,其中,于前述曝光步骤所曝光之试验图案,分别具有作为前述第1试验图案之孤立线条图案,及作为前述第2试验图案之线条与空间图案,在前述测定步骤中,分别测定前述孤立线条图案之尺寸,及线条与空间之线条图案之尺寸,在前述演算步骤中,演算前述孤立线条图案之尺寸,与前述线条图案之尺寸的尺寸差,同时以所演算之尺寸差为基准,再度演算焦点偏移値。10.如申请专利范围第6项之制造方法,其更具备有用以调整于半导体制造装置所设定之焦点偏移値俾使成为于前述演算步骤所演算之焦点偏移値的调整步骤,以于前述调整步骤所调整之焦点偏移値为基准,对于下次量产之产品晶圆,将前述产品图案及试验图案予以曝光。11.如申请专利范围第10项之制造方法,其中,于前述测定步骤中,再度测定前述线条与空间图案之线条图案之抗蚀剂顶部尺寸。12.如申请专利范围第6项之制造方法,其中,在前述曝光步骤中,将前述试验图案于曝光拍摄内之复数处同时曝光,在前述测定步骤中,测定前述复数之试验图案之尺寸,更包含有以于前记测定步骤所测定之复数个试验图案之尺寸为基准,以实施前述晶圆之定水平的定永平步骤。13.如申请专利范围第6项之制造方法,其中使用涂敷有抗蚀剂之裸矽晶圆以取代前述产品晶圆。图式简单说明:图1是用以说明本发明之实施形态之半导体制造装置的横剖面图。图2(a)-2(c)是用以说明图1所示之标线图。图3是显示本实施形态1之焦点偏移値与试验图案之尺寸的关系图。图4是显示本实施形态2之焦点偏移値与试验图案之尺寸的关系图。图5是显示焦点偏移値之移位方向与线条&空间图案之线条图案之形状的关系图。图6是用以说明以往之半导体制造装置的横剖面图。 |
