| 主权项 |
1.一种积体电路结构,其包含基材及(a)基材上之无机层,其包含基材上之金属线路图样与基材上金属线路间之无机介电体;及(b)无机层上之有机层,其包含具有充填金属通路(经其连接无机层之金属线路)之有机介电体。2.根据申请专利范围第1项之积体电路结构,其包含(c)有机层上之额外无机层,其包含有机层上之额外金属线路图样及有机层上额外金属线路间之无机介电体;及(d)额外无机层上之额外有机层,其包含具有充填金属通路(经其连接额外无机层之额外金属线路)之有机介电体。3.根据申请专利范围第2项之积体电路结构,其包含在额外无机层(c)与额外有机层(d)上之一或更多个交错之无机层(c)与有机层(d)。4.根据申请专利范围第2项之积体电路结构,其进一步包含在有机金属层上通路之间与在额外无机层之额外金属线路下之无机介电层;及在无机介电层上额外无机层之额外金属线路之间之有机介电体。5.根据申请专利范围第3项之积体电路结构,其进一步包含在各交错有机层(d)上通路之间及交错无机层之额外金属线路下之无机介电层;及在无机介电层上额外无机层之额外金属线路之间之有机介电体。6.根据申请专利范围第1项之积体电路结构,其中金属线路与通路在其一或多个边缘上具有屏障金属。7.一种制造积体电路结构之方法,其包含:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机介电层沈积在基材上;(c)将无机介电层沈积在有机介电体上;(d)蚀刻通过无机介电层之通路图案;(e)蚀刻通过有机介电层之通路图案,其对应通过无机介电层之通路图样;(f)将光阻涂布在无机介电层上方且以光阻充填有机介电层及无机介电层中之通路;(g)以成像方式自无机介电层上方去除一部份光阻;及在有机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(h)去除自无机介电层上方已去除之一部份光阻下方之无机介电层部份,以在无机介电层中形成渠;(i)自无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;(j)以金属充填有机介电体中之通路及无机介电体中之渠。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中在先前形成之积体电路结构上重复步骤(b)至(j)至少一次。9.一种积体电路结构,其包含一基材及(Ⅰ)一该基材上之有机层,其包含一该基材上之金属线路图样与该基材上金属线路之间的有机介电体;以及(Ⅱ)一该有机层上之无机层,其包含一具连通该有机层金属线之金属充填通路的无机介电体,其中该积体电路结构系由包含下列之方法所制造:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机介电层沈积在基材上;(c)将无机介电层沈积在有机介电体上;(d)蚀刻通过无机介电层之通路图案;(e)蚀刻通过有机介电层之通路图案,其对应通过无机介电层之通路图样;(f)将光阻涂布在无机介电层上方且以光阻充填有机介电层及无机介电层中之通路;(g)以成像方式自无机介电层上方去除一部份光阻;及在有机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(h)去除自无机介电层上方已去除之一部份光阻下方之无机介电层部份,以在无机介电层中形成渠;(i)自无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;(j)以金属充填有机介电体中之通路及无机介电体中之渠。10.一种积体电路结构,其包含一基材及(Ⅰ)一该基材上之有机层,其包含一该基材上之金属线路图样与该基材上金属线路之间的有机介电体;以及(Ⅱ)一该有机层上之无机层,其包含一具连通该有机层金属线之金属充填通路的无机介电体,其中该积体电路结构系由包含下列之方法所制造:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机介电层沈积在基材上;(c)将无机介电层沈积在有机介电体上;(d)蚀刻通过无机介电层之通路图案;(e)蚀刻通过有机介电层之通路图案,其对应通过无机介电层之通路图样;(f)将光阻涂布在无机介电层上方且以光阻充填有机介电层及无机介电层中之通路;(g)以成像方式自无机介电层上方去除一部份光阻;及在有机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(h)去除自无机介电层上方已去除之一部份光阻下方之无机介电层部份,以在无机介电层中形成渠;(i)自无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;(j)以金属充填有机介电体中之通路及无机介电体中之渠;与其中在先前形成之积体电路结构上重复步骤(b)至(j)至少一次。11.一种制造积体电路结构之方法,其包含:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电体沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)以成像方式将一部份薄无机介电层图样化及去除,如此界定通过无机介电层之通路;(e)将薄有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上且以有机介电材料充填溥无机介电层中之通路;(f)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(g)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成渠;(h)去除金属层无机介电体之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在其中形成渠,及自薄无机介电层中之通路去除有机蚀刻终止材料;(i)去除薄无机介电层下方之有机通路层介电层部份,如此形成通过有机通路层介电层直到金属线路之通路;(j)以金属充填通路层有机介电层与溥无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中在先前形成之积体电路结构上重复步骤(b)至(j)至少一次。13.一种积体电路结构,其包含一基材及(Ⅰ)一该基材上之有机层,其包含一该基材上之金属线路图样与该基材上金属线路之间的有机介电体;以及(Ⅱ)一该有机层上之无机层,其包含一具连通该有机层金属线之金属充填通路的无机介电体,其中该积体电路结构系由包含下列之方法所制造:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电体沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)以成像方式将一部份薄无机介电层图样化及去除,如此界定通过无机介电层之通路;(e)将薄有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上且以有机介电材料充填薄无机介电层中之通路;(f)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(g)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成渠;(h)去除金属层无机介电体之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在其中形成渠,及自薄无机介电层中之通路去除有机蚀刻终止材料;(i)去除薄无机介电层下方之有机通路层介电层部份,如此形成通过有机通路层介电层直到金属线路之通路;(j)以金属充填通路层有机介电层与簿无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠。14.一种积体电路结构,其包含一基材及(Ⅰ)一该基材上之有机层,其包含一该基材上之金属线路图样与该基材上金属线路之间的有机介电体;以及(Ⅱ)一该有机层上之无机层,其包含一具连通该有机层金属线之金属充填通路的无机介电体,其中该积体电路结构系由包含下列之方法所制造:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电体沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)以成像方式将一部份薄无机介电层图样化及去除,如此界定通过无机介电层之通路;(e)将溥有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上且以有机介电材料充填薄无机介电层中之通路;(f)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(g)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成渠;(h)去除金属层无机介电体之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在其中形成渠,及自薄无机介电层中之通路去除有机蚀刻终止材料;(i)去除薄无机介电层下方之有机通路层介电层部份,如此形成通过有机通路层介电层直到金属线路之通路;(j)以金属充填通路层有机介电层与薄无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠;与其中在先前形成之积体电路结构上重复步骤(b)至(j)至少一次。15.一种制造积体电路结构之方法,其包含:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电层沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)将薄有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上;(e)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(f)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成通路;(g)去除金属层无机介电层之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在有机介电体蚀刻终止材料层中形成通路;(h)去除有机介电体蚀刻终止材料层之对应已去除部份下方之薄无机介电层部份,以在薄无机介电层中形成通路;(i)以光阻覆盖金属层无机介电层上方,而且以光阻充填金属层无机介电层、有机介电体蚀刻终止材料层及薄无机介电层中之通路;(j)以成像方式自金属层无机介电层上方图样化及去除一部份光阻;及在金属层无机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(k)去除自无机介电层上方已去除之光阻部份下方之金属层无机介电层部份,以在金属层无机介电层中形成渠;(l)自金属层无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;并且去除渠下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份直到到达薄无机介电层;(m)去除薄无机介电层中之通路下方之有机通路层介电层部份;(n)以金属充填通路层有机介电层与簿无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中在先前形成之积体电路结构上重复步骤(b)至(n)至少一次。17.一种积体电路结构,其包含一基材及(Ⅰ)一该基材上之有机层,其包含一该基材上之金属线路图样与该基材上金属线路之间的有机介电体;以及(Ⅱ)一该有机层上之无机层,其包含一具连通该有机层金属线之金属充填通路的无机介电体,其中该积体电路结构系由包含下列之方法所制造:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电层沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)将薄有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上;(e)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(f)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成通路;(g)去除金属层无机介电层之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在有机介电体蚀刻终止材料层中形成通路;(h)去除有机介电体蚀刻终止材料层之对应已去除部份下方之薄无机介电层部份,以在薄无机介电层中形成通路;(i)以光阻覆盖金属层无机介电层上方,而且以光阻充填金属层无机介电层、有机介电体蚀刻终止材料层及薄无机介电层中之通路;(j)以成像方式自金属层无机介电层上方图样化及去除一部份光阻;及在金属层无机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(k)去除自无机介电层上方已去除之光阻部份下方之金属层无机介电层部份,以在金属层无机介电层中形成渠;(l)自金属层无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;并且去除渠下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份直到到达薄无机介电层;(m)去除薄无机介电层中之通路下方之有机通路层介电层部份;(n)以金属充填通路层有机介电层与薄无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠。18.一种积体电路结构,其包含一基材及(Ⅰ)一该基材上之有机层,其包含一该基材上之金属线路图样与该基材上金属线路之间的有机介电体;以及(Ⅱ)一该有机层上之无机层,其包含一具连通该有机层金属线之金属充填通路的无机介电体,其中该积体电路结构系由包含下列之方法所制造:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电层沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)将薄有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上;(e)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(f)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成通路;(g)去除金属层无机介电层之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在有机介电体蚀刻终止材料层中形成通路;(h)去除有机介电体蚀刻终止材料层之对应已去除部份下方之薄无机介电层部份,以在薄无机介电层中形成通路;(i)以光阻覆盖金属层无机介电层上方,而且以光阻充填金属层无机介电层、有机介电体蚀刻终止材料层及薄无机介电层中之通路;(j)以成像方式自金属层无机介电层上方图样化及去除一部份光阻;及在金属层无机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(k)去除自无机介电层上方已去除之光阻部份下方之金属层无机介电层部份,以在金属层无机介电层中形成渠;(l)自金属层无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;并且去除渠下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份直到到达薄无机介电层;(m)去除薄无机介电层中之通路下方之有机通路层介电层部份;(n)以金属充填通路层有机介电层与薄无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠;与其中在先前形成之积体电路结构上重复步骤(b)至(n)至少一次。19.一种制造积体电路结构之方法,其包含:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电层沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)将薄有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上;(e)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(f)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成通路;(g)去除金属层无机介电层之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在有机介电体蚀刻终止材料层中形成通路;(h)去除有机介电体蚀刻终止材料层之对应已去除部份下方之薄无机介电层部份,以在薄无机介电层中形成通路;(i)去除薄无机介电层之对应已去除部份下方之有机通路层介电层部份,以在有机通路层介电层中形成通路;(j)以光阻覆盖金属层无机介电层上方,而且以光阻充填金属层无机介电层、有机介电体蚀刻终止材料层及有机通路层介电层中之通路;(k)以成像方式自金属层无机介电层上方图样化及去除一部份光阻;及在金属层无机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(l)去除自无机介电层上方已去除之光阻部份下方之金属层无机介电层部份,以在金属层无机介电层中形成渠;(m)自金属层无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;并且去除渠下方之有机介电体蚀刻终止层部份直到到达薄无机介电层;(n)以金属充填通路层有机介电层与薄无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中在先前形成之积体电路结构上重复步骤(b)至(n)至少一次。21.一种积体电路结构,其包含一基材及(Ⅰ)一该基材上之有机层,其包含一该基材上之金属线路图样与该基材上金属线路之间的有机介电体;以及(Ⅱ)一该有机层上之无机层,其包含一具连通该有机层金属线之金属充填通路的无机介电体,其中该积体电路结构系由包含下列之方法所制造:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电层沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)将薄有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上;(e)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(f)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成通路;(g)去除金属层无机介电层之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在有机介电体蚀刻终止材料层中形成通路;(h)去除有机介电体蚀刻终止材料层之对应已去除部份下方之薄无机介电层部份,以在薄无机介电层中形成通路;(i)去除薄无机介电层之对应已去除部份下方之有机通路层介电层部份,以在有机通路层介电层中形成通路;(j)以光阻覆盖金属层无机介电层上方,而且以光阻充填金属层无机介电层、有机介电体蚀刻终止材料层及有机通路层介电层中之通路;(k)以成像方式自金属层无机介电层上方图样化及去除一部份光阻;及在金属层无机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(l)去除自无机介电层上方已去除之光阻部份下方之金属层无机介电层部份,以在金属层无机介电层中形成渠;(m)自金属层无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;并且去除渠下方之有机介电体蚀刻终止层部份直到到达薄无机介电层;(n)以金属充填通路层有机介电层与薄无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠。22.一种积体电路结构,其包含一基材及(Ⅰ)一该基材上之有机层,其包含一该基材上之金属线路图样与该基材上金属线路之间的有机介电体;以及(Ⅱ)一该有机层上之无机层,其包含一具连通该有机层金属线之金属充填通路的无机介电体,其中该积体电路结构系由包含下列之方法所制造:(a)提供一个基材,其包含基材上之金属线路图样及基材上金属线路间之介电体;(b)将有机通路层介电层沈积在基材上;(c)将薄无机介电层沈积在有机通路层介电体上;(d)将薄有机介电体蚀刻终止材料层沈积在薄无机介电层上;(e)将金属层无机介电层沈积在有机介电体蚀刻终止层上;(f)以成像方式将一部份金属层无机介电层图样化及去除直到有机介电体蚀刻终止材料层,以在金属层无机介电层中形成通路;(g)去除金属层无机介电层之对应已去除部份下方之有机介电体蚀刻终止材料层部份,以在有机介电体蚀刻终止材料层中形成通路;(h)去除有机介电体蚀刻终止材料层之对应已去除部份下方之薄无机介电层部份,以在薄无机介电层中形成通路;(i)去除薄无机介电层之对应已去除部份下方之有机通路层介电层部份,以在有机通路层介电层中形成通路;(j)以光阻覆盖金属层无机介电层上方,而且以光阻充填金属层无机介电层、有机介电体蚀刻终止材料层及有机通路层介电层中之通路;(k)以成像方式自金属层无机介电层上方图样化及去除一部份光阻;及在金属层无机介电层厚度去除一部份且留下一部份光阻;(l)去除自无机介电层上方已去除之光阻部份下方之金属层无机介电层部份,以在金属层无机介电层中形成渠;(m)自金属层无机介电层上方及自通路去除其余之光阻;并且去除渠下方之有机介电体蚀刻终止层部份直到到达薄无机介电层;(n)以金属充填通路层有机介电层与薄无机介电层中之通路,及有机介电体蚀刻终止层与金属层无机介电层中之渠;与其中在先前形成之积体电路结构上重复步骤(b)至(n)至少一次。23.一种积体电路结构,其包含基材及(a)基材上之有机层,其包含基材上之金属线路图样与基材上金属线路间之有机介电体;及(b)有机层上之无机层,其包含具有充填金属通路(经其连接有机层之金属线路)之无机介电体。24.根据申请专利范围第23项之积体电路结构,其包含(c)无机层上之额外有机层,其包含无机层上之额外金属线路图样及无机层上额外金属线路间之有机介电体;及(d)额外有机层上之额外无机层,其包含具有充填金属通路(经其连接额外有机层之额外金属线路)之无机介电体。25.根据申请专利范围第24项之积体电路结构,其包含在额外无机层(c)与额外有机层(d)上之一或更多个交错之无机层(c)与有机层(d)。26.根据申请专利范围第24项之积体电路结构,其进一步包含在有机金属层上通路之间与在额外无机层之额外金属线路下之无机介电层;及在无机介电层上额外无机层之额外金属线路之间之有机介电体。27.根据申请专利范围第25项之积体电路结构,其进一步包含在各交错有机层(d)上通路之间及交错无机层之额外金属线路下之无机介电层;及在无机介电层上额外无机层之额外金属线路之间之有机介电体。28.根据申请专利范围第23项之积体电路结构,其中金属线路与通路在其一或多个边缘上具有屏障金属。29.一种涂覆介电体基材,其包含:(a)基材上之第一介电体组合物膜;及(b)第一介电体组合物膜上之第二介电体组合物膜;其中第一介电体组合物及第二介电体组合物具有实质上不同之蚀刻抗性。30.根据申请专利范围第29项之涂覆介电体基材,其中第一介电体组合物膜为有机及第二介电体组合物膜为无机。31.根据申请专利范围第29项之涂覆介电体基材,其中第一介电体组合物膜为无机及第二介电体组合物膜为有机。图式简单说明:图1显示依照本发明制造之多层互连制之第一积体电路架构。图2显示依照本发明制造之多层互连制之第二积体电路架构。图3显示在有机低k介电体沈积;无机低k介电体沈积及光阻旋涂与烘烤后生成之本发明第一具体实施例之形成制程。图4显示在通路光罩与光阻显影及金属渠无机低k介电体蚀刻后生成之形成制程。图5显示在通路有机低k介电体蚀刻后之制程结果。图6显示在光阻旋涂与烘烤后之制程结果。图7显示在金属渠光罩及光阻显影后之结果。图8显示在无机低k介电体蚀刻后之结果。图9显示在选择性去除光阻后之结果。图10显示在Cu互连处理后之结果。图11显示在有机低k介电体沈积;无机低k介电体沈积及光阻旋涂与烘烤后生成之本发明第二具体实施例之形成制程。图12显示第二具体实施例在通路光罩与光阻显影及金属渠无机低k介电体蚀刻后之形成制程。图13显示在去除光阻后之制程。图14显示在有机低k介电体沈积,无机低k介电体沈积,光阻旋涂与烘烤及金属渠光罩与光阻显影后之制程。图15显示在无机低k介电体蚀刻后之制程。图16显示在有机低k介电体蚀刻后之制程。图17显示在有机低k介电体蚀刻后之制程。图18显示在Cu互连处理后之第二具体实施例制程。图19显示在有机低k介电体沈积,无机低k介电体沈积,有机低k介电体沈积,无机低k介电体沈积及光阻旋涂与烘烤后之本发明第三具体实施例。图20显示在通路光罩与光阻显影及无机低k介电体蚀刻后之制程。图21显示在有机低k介电体蚀刻及无机低k介电体蚀刻后之制程结果。图22显示在选择性去除光阻后之制程结果。图23显示在光阻旋涂与烘烤后之制程结果。图24显示在金属渠光罩及光阻显影后之制程结果。图25显示在无机低k介电体蚀刻后之制程结果。图26显示在有机低k介电体蚀刻后之制程结果。图27显示在通路无机低k介电体蚀刻后之制程结果。图28显示在有机低k介电体蚀刻后之本发明第四具体实施例。图29显示在光阻旋涂与烘烤后之制程结果。图30显示在金属渠光罩及光阻显影后之制程结果。图31显示在无机低k介电体蚀刻后之制程结果。图32显示在有机低k介电体及光阻蚀刻后之制程结果。 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