发明名称 实施于矽基底的电感结构及其制造方法
摘要 一种实施于矽基底的电感结构及其制造方法。此电感结构是由矽基底、并列的第一金属线、介层插塞、并列的第三金属线所构成。第一金属线形成在矽基底的上方。介层插塞形成在每条第一金属线的头尾两端。第三金属线形成在介层插塞的上方,其头尾两端分别经由介层插塞相连至第一金属线的头尾两端,使第三金属线与第一金属线形成一螺旋回路,藉以得到所要的电感结构。另外,第二金属线更可以形成在第一金属线及第三金属线所构成的螺旋回路中,且第一金属线及第三金属线的排列亦可以呈现对称结构,如正四方形、正六方形、正八方形。
申请公布号 TW535176 申请公布日期 2003.06.01
申请号 TW090133035 申请日期 2001.12.28
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 欧炯廷
分类号 H01F41/04 主分类号 H01F41/04
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种实施于矽基底的电感结构,包括:一矽基底;复数条并列的第一金属线,形成于该矽基底的表面;复数介层插塞,形成于该等第一金属线的两端;以及复数条并列的第三金属线,形成于该等介层插塞表面,该等第三金属线的两端分别经由该等介层插塞相连至该等第一金属线的两端,使该等第三金属线与该等第一金属线形成一螺旋回路,藉以得到所要的电感结构。2.如申请专利范围第1项所述实施于矽基底的电感结构,更包括一第二金属线,形成于该等第一金属线及该等第三金属线所形成之该螺旋回路中。3.如申请专利范围第2项所述实施于矽基底的电感结构,其中,该等第一金属线是经由一第一金属层的定义以得到。4.如申请专利范围第2项所述实施于矽基底的电感结构,其中,该第二金属线是经由一第二金属层的定义以得到。5.如申请专利范围第2项所述实施于矽基底的电感结构,其中,该等第三金属线是经由一第三金属层的定数以得到。6.如申请专利范围第2项所述实施于矽基底的电感结构,其中,该等第一金属线及该等第三金属线的排列为一对称结构。7.如申请专利范围第6项所述实施于矽基底的电感结构,其中,该对称结构是一正四方形。8.如申请专利范围第6项所述实施于矽基底的电感结构,其中,该对称结构是一正六方形。9.如申请专利范围第6项所述实施于矽基底的电感结构,其中,该对称结构是一正八方形。10.一种电感结构的制造方法,包括:提供一矽基底;在该矽基底的表面形成复数条并列的第一金属线;分别在该等第一金属线的两端形成介层插塞;在该等介层插塞表面形成复数条并列的第三金属线,该等第三金属线的两端分别经由该等介层插塞相连至该等第一金属线的两端,使该等第三金属线与该等第一金属线得以形成一螺旋回路,作为所要的电感结构。11.如申请专利范围第10项所述电感结构的制造方法,更包括:在该等第一金属线及该等第三金属线所形成之该螺旋回路中,形成一第二金属线。12.如申请专利范围第11项所述电感结构的制造方法,其中,该等第一金属线是定义一第一金属层以得到。13.如申请专利范围第11项所述电感结构的制造方法,其中,该第二金属线是定义一第二金属层以得到。14.如申请专利范围第11项所述电感结构的制造方法,其中,该等第三金属线是定义一第三金属层以得到。15.如申请专利范围第11项所述电感结构的制造方法,其中,该等介层插塞的制造方法包括:在该矽基底及该等第一金属线的表面覆盖一介电层;蚀刻定义该介电层,藉以在该等第一金属线的头尾两端定数接触窗;以及在该等接触窗内填入导电材料,藉以得到所要的介层插塞。16.如申请专利范围第11项所述电感结构的制造方法,其中,该等第一金属线及该等第三金属线排列成一对称结构。17.如申请专利范围第16项所述电感结构的制造方法,其中,该对称结构是一正四方形。18.如申请专利范围第16项所述电感结构的制造方法,其中,该对称结构是一正六方形。19.如申请专利范围第16项所述磁感结构的制造方法,其中,该对称结构是一正八方形。图式简单说明:第1图是本发明实施于矽基底的电感结构的一个实施例的平面示意图;第2A图是第1图中AA'连线的剖面示意图;第2B图是第1图中BB'连线的剖面示意图;第3图是本发明实施于矽基底的电感结构的另一个实施例的平面示意图;第4A图是第3图中AA'连线的剖面示意图;第4B图是第3图中BB'连线的剖面示意图;第5A-5C图是本发明实施于矽基底的电感结构的俯视图;以及第6图是本发明实施于矽基底的电感结构的史密斯分布图(Sll Smith Chart)。
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