| 发明名称 | 具有沟槽隔离的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的主要目的在于提供具有能够减缓应力、同时能够可控地形成沟道截止层，以及能够得到良好的隔离特性的改进了的沟槽隔离的半导体器件。在半导体衬底(1)的表面设置了沟槽(6)。以在沟槽(6)内产生孔隙的方式，设置了其一部分嵌入给该沟槽(6)，并且向上方延伸的绝缘膜(8)。使沟槽(6)的上端的直径比绝缘膜(8)的直径小。 | ||
| 申请公布号 | CN1421913A | 申请公布日期 | 2003.06.04 |
| 申请号 | CN02127067.8 | 申请日期 | 2002.07.26 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 堤聪明 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种具有沟槽隔离的半导体器件，其特征在于：包括：半导体衬底1；在上述半导体衬底1的表面设置的沟槽6；以及以在上述沟槽6内产生孔隙的方式，其一部分嵌入该沟槽6并且向上方延伸的绝缘膜8，上述沟槽6的上端的直径比上述绝缘膜8的直径小。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||