| 主权项 |
1.一种具有主动矩阵型发光装置的电子装置,包含:一电致发光元件,其使用一发光材料,其中以三层激励获得电致发光;和一半导体元件电连接至电致发光元件;其中该发光装置系由数位驱动所操作。2.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该半导体元件为TFT。3.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电子装置为一电子用品。4.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电子装置为一行动电话。5.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电子装置为一数位相机。6.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电子装置为一音响设备。7.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该电子装置为一无线携带设备。8.一种发光装置,包含:一半导体元件;和一电致发光元件电连接至该半导体元件,其中该电致发光元件包括以下式表示之发光材料制成之薄膜:其中Et表示乙基群;和M表示属于周期表第8至10族之元素,且其中该发光装置系由数位驱动所操作。9.如申请专利范围第8项之发光装置,其中M为选自以镍,钴,和钯所组成之群之一元素。10.如申请专利范围第8项之发光装置,其中发光材料为含选自以镍,钴,和钯所组成之群之一元素之金属复合物。11.如申请专利范围第8项之发光装置,其中发光材料为含选自以镍,钴,和钯所组成之群之一元素之有机化合物。12.如申请专利范围第8项之发光装置,其中该半导体元件为TFT。13.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该电子装置为一电子用品。14.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该电子装置为一行动电话。15.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该电子装置为一数位相机。16.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该电子装置为一音响设备。17.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该电子装置为一无线携带设备。18.一种发光装置,包含:一半导体元件;和一电致发光元件电连接至该半导体元件,其中该电致发光元件包括以下式表示之发光材料制成之薄膜:其中Et表示乙基群;和M表示属于周期表第8至10族之元素,且其中该发光装置系由数位驱动所操作。19.如申请专利范围第18项之发光装置,其中M为选自以镍,钴,和钯所组成之群之一元素。20.如申请专利范围第18项之发光装置,其中发光材料为含选自以镍,钴,和钯所组成之群之一元素之金属复合物。21.如申请专利范围第18项之发光装置,其中发光材料为含选自以镍,钴,和钯所组成之群之一元素之有机化合物。22.如申请专利范围第18项之发光装置,其中该半导体元件为TFT。23.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该电子装置为一电子用品。24.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该电子装置为一行动电话。25.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该电子装置为一数位相机。26.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该电子装置为一音响设备。27.如申请专利范围第18项之电子装置,其中该电子装置为一无线携带设备。28.一种发光装置,包含:一电致发光元件,其使用一发光材料,其中以三层激励获得电致发光;和一薄膜电晶体电连接至电致发光元件,其中经由薄膜电晶体应用至电致发光元件之电压为4至6V,且其中当每一像素区域面积的光量为200cd/m2时发光装置的每一像素部份面积的电流为0.5至1mA/cm2。29.如申请专利范围第28项之电子装置,其中该电子装置为一电子用品。30.如申请专利范围第28项之电子装置,其中该电子装置为一行动电话。31.如申请专利范围第28项之电子装置,其中该电子装置为一数位相机。32.如申请专利范围第28项之电子装置,其中该电子装置为一音响设备。33.如申请专利范围第28项之电子装置,其中该电子装置为一无线携带设备。34.一种发光装置,包含:一电致发光元件,其使用一发光材料,其中以三层激励获得电致发光;和一薄膜电晶体电连接至电致发光元件,一源极讯号线;和一电源线连接至薄膜电晶体之源极侧,其中当电源线之电压为4至6V时,发光元件的发光效率为9%。35.如申请专利范围第34项之发光装置,其中该电子装置为一电子用品。36.如申请专利范围第34项之发光装置,其中该电子装置为一行动电话。37.如申请专利范围第34项之发光装置,其中该电子装置为一数位相机。38.如申请专利范围第34项之发光装置,其中该电子装置为一音响设备。39.如申请专利范围第34项之发光装置,其中该电子装置为一无线携带设备。图式简单说明:图1为发光装置之截面构造图;图2A和2B为发光装置之上部构造和截面构造图;图3为介于电流密度和发光亮度间之关系图;图4为介于操作电压和发光效率间之关系图;图5为介于电能耗损和发光效率间之关系图;图6为介于电能耗损和发光亮度间之关系图;图7A和7B为介于图素数目和发光时间间之关系和介于图素数目和电流密度间之关系图;图8A和8B为发光装置之电路构造和图素构造图;图9为藉由分时方法而说明分级显示操作图;图10为发光装置之图素构造图;图11为发光装置之图素构造图;图12A和12B为输入至闸极接线之讯号之时间图;图13A至13F为电器用品之特殊例;图14A和14B为电器用品之特殊例;图15为主动矩阵型发光装置之一例之截面图;图16为主动矩阵型发光装置之图素部份之构造之顶视图;图17为主动矩阵型发光装置之图素部份之等效电路图;图18为在三层EL元件和单层EL元件中之电流密度对亮度之特性图;图19为在三层EL元件和单层EL元件中之电压对发光效率之特性图;图20为在三层EL元件和单层EL元件中之电能耗损对亮度之特性图;图21为本发明之TET之寿命图;和图22为本发明之10年保证电压对TFT之通道长度之特性图。 |
