| 摘要 |
本发明之目的系，提供可一体形成在半导体基板上，且可提升抑制杂讯成份的精度之杂讯抑制电路。杂讯抑制电路系具备有：高通滤波器，检测包含在输入信号中之杂讯成份；脉冲产生电路，产生所检测到杂讯成份其所对应之脉冲信号；使输入信号延迟之类比延迟电路252；输出电路，因应脉冲信号的输出时序，抑制包含在此延迟的信号之杂讯成份。类比延迟电路252系，使开关51~56依序导通且将在各自的时点之输入信号的电压予以保持在各电容器81~86中，同时在更新此保持电压之前，使开关61~66导通且将之取出以延迟输入信号之输出时序。 |
