达成高Q値和低插入损耗的薄膜体声共振器之结构及制造程序STRUCTURE AND FABRICATION PROCEEDURES TO ACHIVEL HIGH-Q AND LOW INSERTION LOSS FILM BULK ACOUSTIC RESONATORS

摘要

一薄膜体声共振器系形成于一基体上。该薄膜体声共振器包括一层压电材料，该层压电材料具有接近基体之第一表面以及位于基体之第二表面。沉积于压电材料之第一表面上的第一导电层包括第一部份，其表面所在之平面与第二部份之表面所在之平面不同。一种形成器件之方法，包括将第一电极之第一部份以及压电层沉积于基体。该方法包括移除基体位于压电层下方的部份以及位于第一电极下方部份的部份，并将第一电极之第二部份沉积至压电薄膜层上并将之沉积至第一电极之第一部份上。