改善积体多孔质层间电介体之牺牲层嵌入方法

摘要

于嵌入制程中使用非多孔质牺牲层(30)以形成譬如通孔或互连线之导电体元件(34)，造成嵌入通孔或互连线之平滑的壁结构，和造成譬如障壁层之任何周遭层之平滑的壁结构。形成平滑壁导电体元件之后，移除牺牲层(30)并代之以多孔质电介质(40)，获得所需要之与平滑壁导电体元件和障壁材料积体制造之多孔质低k电介质结构。