| 主权项 |
1.一种切削套件,其具有一顶面及一底部基面;连接该顶面及该基面之侧面;至少一切刃,系由该顶面及一侧面相交处形成;至少一切刃尖角,系由相邻成对之二侧面相交处形成;一切屑控制构造形成于该顶面,其系由切刃尖角沿切刃延伸以使该切刃具有至少一有效之切削长度;一切刃背面,其区隔该切屑控制构造与该切刃;该切屑控制构造至少包含复数径向分布之凹槽,其中该切屑控制构造之凹槽具有由切刃背面渐向套件中心减少之深度。2.如申请专利范围第1项所述之切削套件,其中各该凹槽包含一平板区及一切屑偏转区。3.如申请专利范围第2项所述之切削套件,其中该切削套件系一三角形,而其中一切刃系由该顶面及该侧面相交而形成。4.如申请专利范围第2项所述之切削套件,其中该切削套件系一菱形,而其中一切刃系由该顶面及该侧面相交而形成。5.如申请专利范围第2项所述之切削套件,其中该切削套件系一长方形,而其中一切刃系由该顶面及该侧面相交而形成。6.如申请专利范围第2项所述之切削套件,其中该切削套件系一钻石形,而其中一切刃系由该顶面及该侧面相交而形成。7.如申请专利范围第1项所述之切削套件,其中该切屑控制构造至少包含:一第一下降面,其系由该切刃背面之内缘朝下方之基面及朝套件内部中心延伸至一第一平板区;一第一切屑偏转面,其系由该第一平板区朝顶面及朝套件内部中心上升以至一第一突起区;一第二下降面,其系由该第一突起区朝下方之基面及朝套件内部中心延伸至一第二平板区;一第二切屑偏转面,其系由该第二平板区朝顶面及朝套件内部中心上升以至一第三平板区;一第三切屑偏转面,其系由该第三平板区朝顶面及朝套件内部中心上升。8.如申请专利范围第7项所述之切削套件,其中该第一突起区大体上系一水平面,而且其比该切刃背面再低一深度。9.如申请专利范围第7项所述之切削套件,其中该第一平板区与该第一切屑偏转面偕同限定该切屑控制构造之一第一凹槽。10.如申请专利范围第7项所述之切削套件,其中该该第二平板区大体上系一水平延伸面。11.如申请专利范围第7项所述之切削套件,其中该该第一平板区具一深度,系比该第二平板区之深度更深。12.如申请专利范围第7项所述之切削套件,其中由该第二切屑偏转面与该第二平板区偕同限定该切屑控制构造之一第二凹槽。13.如申请专利范围第7项所述之切削套件,其中该该第三平板区大体上系一水平延伸面,且具有一与该第一突起区大体上相同之深度。14.如申请专利范围第7项所述之切削套件,其中该第三切屑偏转面及该第三平板区形成该切屑控制构造之一第三凹槽。15.一种切削套件,其具有一顶面及一底部基面;连接该顶面及基面之侧面;至少一切刃,系由该顶面及一侧面相交处形成;至少一切刃尖角,系由相邻成对之二侧面相交处形成;一切屑控制构造形成于该顶面,其系由切刃尖角沿切刃延伸以使该切刃具有至少一有效的切削长度;一切刃背面,其区隔该切屑控制构造与该切刃;该切屑控制构造至少包含:一第一下降面,其系由该切刃背面之内缘朝下方之基面及朝套件内部中心延伸至一第一平板区;一第一切屑偏转面,其系由该第一平板区朝顶面及朝套件内部中心上升以至一第一突起区;一第二下降面,其系由该第一突起区朝下方之基面及朝套件内部中心延伸至一第二平板区;一第二切屑偏转面,其系由该第二平板区朝顶面及朝套件内部中心上升以至一第三平板区;一第三切屑偏转面,其系由该第三平板区朝顶面及朝套件内部中心上升。16.如申请专利范围第15项所述之切削套件,其中该第一平板区与该第一切屑偏转偕同限定该切屑控制构造之一第一凹槽。17.如申请专利范围第16项所述之切削套件,其中该第二切屑偏转面与该第二平板区偕同限定该切屑控制构造之一第二凹槽。18.如申请专利范围第17项所述之切削套件,其中该第三切屑偏转面及该第三平板区形成该切屑控制构造之一第三凹槽。19.如申请专利范围第18项所述之切削套件,其中该第一凹槽、该第二凹槽及该第三凹槽系径向地分布。20.如申请专利范围第19项所述之切削套件,其中该第一凹槽比该第二凹槽深,而该第二凹槽比该第三凹槽深。图式简单说明:第1图系依本发明之一切削套件之立体图;第2图为第1图中之套件之上视图;第3图为第2图中之套件沿剖面线3-3之断面图;第4图第2图中之套件沿剖面线4-4之部份断面之放大图。 |
