| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项所述之具打线与凸块结合之双晶片堆叠结构,其中该第一晶片与该第二晶片系呈相互垂直堆叠。3.如申请专利范围第1项所述之具打线与凸块结合之双晶片堆叠结构,其中该些焊线之打线(wire bonding)高度系不超过该第二晶片之非主动面。4.如申请专利范围第1项所述之双晶片堆叠结构,其中该第二晶片之主动面系交错黏设于该第一晶片之主动面。5.一种双晶片交错堆叠之封装结构,系包含有:一基板,具有一上表面及一下表面,其中该上表面系形成有复数个第一连接垫及复数个第二连接垫;一第一晶片,系具有一主动面与一非主动面,其中该第一晶片之非主动面系设于该基板之上表面,而该第一晶片之主动面系形成有复数个焊垫;一第二晶片,系具有一主动面与一非主动面,其中该第二晶片之主动面系交错对应于该第一晶片之主动面且不遮盖该第一晶片之该些焊垫,该第二晶片之主动面系形成有复数个凸块,并覆晶接合至该基板,使得该些凸块系电性接合该第二晶片与该基板之该些第二连接垫;复数条焊线,电性连接该第一晶片之焊垫至该基板之第一连接垫;及一封胶体,形成于该基板之上表面,以密封该第一晶片、该第二晶片、该些凸块及该些焊线。6.如申请专利范围第5项所述之双晶片交错堆叠之封装结构,其中该第一晶片与该第二晶片系呈相互垂直堆叠。7.如申请专利范围第5项所述之双晶片交错堆叠之封装结构,其中该些焊线之打线(wire bonding)高度系不超过该第二晶片之非主动面。8.如申请专利范围第5项所述之双晶片交错堆叠之封装结构,其中该第二晶片之主动面系交错黏设于该第一晶片之主动面。9.如申请专利范围第5项所述之双晶片交错堆叠之封装结构,其中该第二晶片之非主动面系裸露于该封胶体外。10.如申请专利范围第5项所述之双晶片交错堆叠之封装结构,其另包含有复数个焊球,其系形成于该基板之下表面。图式简单说明:第1图:依本创作之第一具体实施例,一具打线与凸块结合之双晶片堆叠结构之上视图;及第2图:沿第1图2-2线之截面图;第3图:沿第1图3-3线之截面图;及第4图:依本创作之第二具体实施例,一双晶片交错堆叠之封装结构之截面图。 |
