Method for forming fine patterns of semiconductor device

摘要

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법은, 피식각층 상의 하드 마스크막을 패터닝하여, 상기 피식각층을 노출시키는 제 1 개구들 및 상기 제 1 개구들 사이의 희생 필라들을 형성하는 것, 상기 제 1 개구들 사이의 상기 피식각층 위로 블록 공중합체층을 형성하는 것, 상기 블록 공중합체층을 상분리하여, 상기 희생 필라들과 이격되어 배열되고 제 1 블록 패턴들 및 제 2 블록 패턴을 형성하는 것, 상기 제 1 블록 패턴들을 제거하여 상기 피식각층에 제 1 홀들을 형성하는 것, 그리고 상기 희생 필라들을 제거하여 노출된 상기 피식각층에 상기 제 1 홀들과 상이한 제 2 홀들을 형성하는 것을 포함한다.