| 主权项 |
1.一种肖特基屏障二极体之制造方法,其特征为包含有:于一导电型之磊晶层上层叠稳定之化合物半导体层的步骤;以及在上述化合物半导体层表面上蒸镀肖特基金属后,进行热处理以使上述肖特基金属之一部分扩散而埋入上述化合物半导体层,而与上述磊晶层界面形成肖特基接面的步骤。2.一种肖特基屏障二极体之制造方法,其特征为包含有:在非掺杂化合物半导体基板上层叠一导电型之磊晶层及稳定的化合物半导体层,并在预定之第一电极下的上述化合物半导体层表面形成一导电型之高浓度离子植入区域的步骤;形成与上述高浓度离子植入区域形成欧姆接面之第一电极的步骤;在上述化合物半导体层表面上蒸镀肖特基金属后,进行热处理以使上述肖特基金属之一部分扩散而埋入上述化合物半导体层,而形成与上述化合物半导体层下层之上述磊晶层界面形成肖特基接面之第二电极的步骤;以及形成分别与上述第一及第二电极接触之金属层的步骤。3.一种肖特基屏障二极体之制造方法,其特征为包含有:在非掺杂化合物半导体基板上层叠一导电型之高浓度磊晶层和一导电型之磊晶层及稳定的化合物半导体层,并形成从预定之第一电极下的上述化合物半导体层表面到达上述高浓度磊晶层之一导电型之高浓度离子植入区域的步骤;形成与上述高浓度离子植入区域形成欧姆接面之第一电极的步骤;在外周为上述第一电极包围之上述化合物半导体层表面上蒸镀肖特基金属后,进行热处理以使上述肖特基金属之最下层扩散而埋入上述化合物半导体层,而形成与上述化合物半导体层下层之上述磊晶层界面形成肖特基接面之第二电极的步骤;以及形成分别与上述第一及第二电极接触之金属层的步骤。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之肖特基屏障二极体之制造方法,其中上述肖特基金属层,系依序蒸镀形成最下层为铂之多层金属层。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之肖特基屏障二极体之制造方法,其中,在形成肖特基接面之前,系利用上述化合物半导体层来保护上述磊晶层之表面。图式简单说明:第1图系用以说明本发明肖特基屏障二极体之剖视图。第2图系用以说明本发明肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。第3图系用以说明本发明肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。第4图(A)及(B)系用以说明本发明肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。第5图系用以说明本发明肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。第6图系用以说明以往肖特基屏障二极体之剖视图。第7图系用以说明以往肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。第8图系用以说明以往肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。第9图系用以说明以往肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。第10图系用以说明以往肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。第11图系用以说明以往肖特基屏障二极体之制造方法的剖视图。 |
