发明名称 半导体装置
摘要 一种半导体装置包含:一绝缘可挠性膜,可改变其轮廓;第一与第二导电层,设于该可挠性膜之两表面上且构成配线图案;一LSI,安装于该第一导电层上;一导体,设于一孔洞中,该孔洞系形成于该可挠性膜中且使形成于该第一导电层中之配线图案与形成于该第二配线图案中之配线图案连接;一加强件;以及一散热件。由该第一导电层与该第二配线图案之每一个所构成的配线图案之一部分系特征阻抗已预先计算的用于高速信号之一导电配线,且用以连接至母板的一连接部系设于该用于高速信号之导电配线之一端上。因此本半导体装置可在无须牺牲其电性性能下具有高除热能力且使关联于封装组装之封装设计有时间效率并降低组装成本。
申请公布号 TW200304186 申请公布日期 2003.09.16
申请号 TW092105734 申请日期 2003.03.14
申请人 电气股份有限公司 发明人 加美 伸治;藏田 和彦;杉本 宝;堂前 巧
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本