| 摘要 |
一种半导体元件制造方法，包含以下步骤:(a)将一第一基材送入一第一CVD腔室内；(b)将该第一基材的温度提升至一预定值；(c)将一材料管线中的气相材料供至第一腔室而在第一基材上生成一薄膜；(d)将一第二基材送入一第二CVD腔室内；(e)将第二基材的温度提升至该预定值；及(f)将该气相材料供至第二腔室而在第二基材上生成一薄膜。步骤(c)和(f)系分别选择性地将气相材料供入第一与第二腔室中。在步骤(c)之后的步骤(f)时，被供应气相材料的腔室会由第一腔室切换至第二腔室，因此在该材料管线中的气相材料之压力会保持固定。 |
