顶闸型薄膜电晶体

摘要

本发明之目的系在提升多结晶SiTFT之特性。本发明系一种将闸极电极形成于主动层之上层的顶闸型TFT，覆盖TFT主动层24以及闸极绝缘膜30、闸极电极36而形成之层间绝缘膜40，系采用由主动层侧叠层SiNx膜42、SiO2膜44的叠层构造，SiNx膜42的厚度，系设定为50nm至200nm的程度，或理想之100nm程度，藉由设定为上述厚度，可对下层之多结晶Si主动层24供给充足的终止悬空键用之氢，并维持形成于该层间绝缘膜40之接触孔等之形成精度。