| 主权项 |
1.一种电压上升控制电路,适用于一高电压产生电路,上述高电压产生电路藉由一时钟信号控制输出端的电压,其包括:一参考电流源,其输出端产生一参考电流;一电容,其耦接于上述高电压产生电路的输出端和上述参考电流源的输出端之间;一电晶体,其控制端耦接于上述参考电流源输出端,第一端输出一回授电流,第二端耦接于一低电压源;一电流比较器,其接收上述回授电流和一固定电流,产生一输出电流;以及一电流控制震荡器,其产生上述时钟信号,接收上述电流比较器的输出电流控制上述时钟信号的频率。2.如专利申请范围第1项所述之电压上升控制电路,其中,上述高电压产生电路为一电荷帮浦。3.如专利申请范围第1项所述之电压上升控制电路,其中,上述电晶体为一金属氧化半导体电晶体,其中上述控制端为闸极,上述第一端为汲极,上述第二端为源极。4.如专利申请范围第1项所述之电压上升控制电路,其中,上述电流比较器的输出电流正比于上述回授电流和上述固定电流的差。5.一种电压上升控制方法,适用于一高电压产生电路,上述高电压产生电路藉由一时钟信号控制输出端的电压,其包括下列步骤:电容性耦合上述高电压产生电路的输出端电压到一参考电流源的输出端之间;耦接上述参考电流源输出端到一电晶体的控制端,其中上述电晶体的第一端输出一回授电流,上述电晶体的第二端耦接于一低电压源;比较上述回授电流和一固定电流,用以产生一比较电流;以及调变一电流控制震荡器,上述电流控制震荡器接收上述比较电流控制上述时钟信号的频率。6.如专利申请范围第5项所述之电压上升控制方法,其中,上述高电压产生电路为一电荷帮浦。7.如专利申请范围第5项所述之电压上升控制方法,其中,上述电晶体为一金属氧化半导体电晶体,其中上述控制端为闸极,上述第一端为汲极,上述第二端为源极。8.如专利申请范围第5项所述之电压上升控制方法,其中,上述比较电流正比于上述回授电流和上述固定电流的差。图式简单说明:第1A图表示习知电压上升控制电路。第1B表示习知电荷帮浦电路图。第2图表示本发明实施例电压上升控制电路图。 |
