| 主权项 |
1.一种OLED装置,其包含:a)基板;b)该基板上由导电材料所形成之阳极;c)该阳极层上所提供具有电致发光材料之发光层;d)该发光层上所提供包含重硷金属卤化物之缓冲层;及e)该缓冲层上所提供之金属或金属合金喷溅层,其中该喷溅层系经过选择以与该缓冲层用于注入电子。2.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该重硷金属卤化物包括CsF、RbF、KF或其组合。3.如申请专利范围第2项之OLED装置,其中该缓冲层的厚度系小于10毫微米,但大于0毫微米。4.如申请专利范围第2项之OLED装置,其中该缓冲层的厚度系小于5毫微米,但大于0.5毫微米。5.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该金属包含铝或镁或其组合。6.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该金属进一步包含矽、钪、钛、铬、锰、锌、钇、锆及铪或其金属合金。7.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该发光层包含Alq。8.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该发光层包含一或多种发光掺杂材料。9.一种OLED装置,其包含:a)基板;b)该基板上由导电材料所形成之阳极;c)该阳极层上所提供之电洞注入层;d)该电洞注入层上所提供之电洞传送层;e)该电洞传送层上所提供具有电致发光材料之发光层;f)该发光层上所提供之电子传送层;g)该电子传送层上所提供包含重硷金属卤化物之缓冲层;及h)该缓冲层上所提供之金属或金属合金喷溅层,其中该喷溅层系经过选择以与该缓冲层用于注入电子。10.一种制造OLED装置之方法,其包括下列步骤:a)提供基板;b)在该基板上形成导电材料之阳极;c)在该阳极层上沈积具有电致发光材料之发光层;d)在该发光层上形成包含重硷金属卤化物之缓冲层;及e)在该缓冲层上喷溅金属或金属合金层。图式简单说明:图1概要地显现OLED装置的层结构;图2为喷溅Mg阴极装置之性能随RbF缓冲层厚度而变的图形;图3为喷溅Mg阴极装置之性能随CsF缓冲层厚度而变的图形;图4为喷溅Mg阴极装置之性能随KF缓冲层厚度而变的图形;图5为喷溅Mg阴极装置之性能随LiF缓冲层厚度而变的图形;图6为喷溅Al阴极装置之性能随CsF缓冲层厚度而变的图形;及图7为喷溅Al阴极装置之性能随RbF缓冲层厚度而变的图形。 |
