具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构

摘要

一种具高介电物质之矽/氧化物/氮化物/氧化物/矽元件架构，含有具有一源极区、一汲极区与位于其间的一通道区的一基底、位于通道区上的第一氧化层、在第一氧化层上的一氮化层、在氮化层上的第二氧化层、第二氧化层上的一闸极结构，其中在闸极结构底下的基底中有一个没有源/汲极区的区域、以及在氮化层上邻近闸极结构的侧壁间隙壁，其中至少一注入点，以注入电子于氮化层中，其中注入点位于通道区以及源极区与汲极区其中之一之间的一接合处，以及其中电荷储存于侧壁间隙壁底下的部分氮化层内。