发明名称 Integrated circuit device and method for manufacturing the same
摘要 집적회로 장치는 제1 및 제2 핀형 활성 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 상기 제1 핀형 활성 영역 상에 형성되며, 상기 제1 핀형 활성 영역의 상면 및 양 측면을 덮는 제1 게이트 절연층, 상기 제1 게이트 절연층 상에 형성되며, 상기 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 제1 두께를 갖는 제1 게이트 전극, 및 상기 제1 게이트 전극 상에 형성되는 제2 게이트 전극을 포함하는 제1 게이트 구조물; 및 상기 기판의 상기 제2 핀형 활성 영역 상에 형성되며, 상기 제2 핀형 활성 영역의 상면 및 양 측면을 덮는 제2 게이트 절연층, 상기 제2 게이트 절연층 상에 형성되는 제3 게이트 절연층, 상기 제3 게이트 절연층 상에 형성되며, 상기 제1 방향으로 상기 제1 두께와 다른 제2 두께를 갖는 제3 게이트 전극, 및 상기 제3 게이트 전극 상에 형성되는 제4 게이트 전극을 포함하는 제2 게이트 구조물;을 포함한다.
申请公布号 KR20160126484(A) 申请公布日期 2016.11.02
申请号 KR20150057536 申请日期 2015.04.23
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 SONG, JAE YEOL;KIM, WAN DON;KWON, OH SEONG;SON, HYEOK JUN;NA, HOON JOO;HYUN, SANG JIN
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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