| 摘要 |
本发明揭示一骤回装置，其功能为一半导体保护电路，以防止积体电路因诸如静电放电等事件而受到损害。一旦达到其触发点，该骤回装置即骤回至双极作业模式，此时其可以一降低之电压携带相当强之电流。该骤回装置包含一较低击穿电压之优点，使得骤回装置在主动电路组件因超过其等之击穿电压而受到损害之前即骤回至双极作业模式。该骤回装置包含形成于一p-井基板区域之内的n^+作用区域,且各作用区域包含一覆盖于其上但藉由一介电质膜与其绝缘的多晶矽膜。各n^+作用区域与多晶矽膜系藉由一传导膜耦合，该等组件共同形成一电节点。该骤回装置之一电节点系耦合至该装置之I/O端子，其另一电节点系耦合至接地或一供给电源。 |
