半导体装置及其制造方法,SOI基板及使用其之显示装置,SOI基板之制造方法

摘要

本发明系在堆积于绝缘基板上之氧化矽膜上形成多晶矽薄膜与单晶矽薄膜。加热晶化非晶质矽膜，使多晶矽层生长而形成多晶矽薄膜。藉由将表面具有氧化矽膜，且具有氢离子植入部之单晶矽基板贴合于蚀刻除去多晶矽薄膜之区域来进行热处理，及藉由以氢离子植入部为边界面剥离形成单晶矽薄膜。可提供一种具有单晶矽薄膜之特性稳定之大型且廉价之半导体装置。