| 摘要 |
本发明提供一种在一凸起物上减少电流集聚的技术。此种技术能够让在从穿孔至一金属层之凸起物周围的注入电流更均匀，其中该穿孔系集中在该金属层之外部区域上，并且其穿孔密度较在金属层上之区域的穿孔密度为高。因为穿孔系集中在该金属层之外部区域，沿着从外部区域至该凸起物之电流路径的较高电流分布密度补偿从区域至该凸起物之较短电流路径长度，因此有效的减少在凸起物上之电流集聚。本发明并提供一种技术，以选择性的将穿孔区域置放于一金属层上，以减少在一凸起物上之电流集聚。本发明尚提供一种电流集聚减少技术，其利用位于在一金属层上之穿孔与凸起物之间的狭缝。在穿孔与凸起物之间的狭缝使得从该穿孔到该凸起物之电流路径长度系实质上相等。因为当电流路径长度系实质上相等时，该电流路径具有流经穿孔与凸起物实质上相等的电流，所以从穿孔至该凸起物之电流系更均匀。本发明并提供一种凸起物与穿孔结构，其使用位于穿孔与一凸起物之间的狭缝。本发明尚提供一种用以设计一具有狭缝之金属层的方法，其狭缝系置放于穿孔与凸起物之间。 |
