充满接触孔之方法及具接触孔之积体电路装置

摘要

本发明提供一方法之说明，其中一基本层（50）在保护气体下沉积在接触孔区（30）内，该基本层包含氮为主要成分。基本层（50）沉积后，一遮盖层（54）在气体氮下沉积。一黏接促进层（32）构成，其易于产生及有一良好电性质。