电阻可变材料晶胞之方法与装置

摘要

本发明揭示制造具有改良资料保持力特性及较高切换速度的记忆体晶胞或电阻可变材料之方法与装置。依据本发明一具体实施例之一记忆体晶胞中，一活性层中结合硒化银又一硫属化玻璃，如硒化锗(GexSe(1-x))，其在电极间存在电位情况下支援传导路径之形成。其优点系，制造本发明之具体实施例时可选择的硒化银及玻璃层厚度范围较宽广。