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发明名称
薄半导体晶片及其制造方法
摘要
本发明揭示一半导体装置晶圆11,其利用一双面热泡黏结板12结合支撑板13,及该组件在真空吸附下固定于一真空吸附座垫14。该黏结板12的热泡黏结层的功能作为一冲击吸收器,因而在一高速研磨操作中该晶圆11不易破裂,即使该晶圆使用一容易损坏的GaAs基板。即不使用蜡固定该晶圆11也不需要使用一油性蚀磨剂蚀磨,致使避免蜡及油污染,且该晶圆清洁变为容易。加热至130℃导致该黏结板12的该热泡黏结层膨胀,致使该晶圆11立即脱离该黏结板。
申请公布号
TW200308004
申请公布日期
2003.12.16
申请号
TW092103513
申请日期
2003.02.20
申请人
夏普股份有限公司
发明人
刘翊
分类号
H01L21/302
主分类号
H01L21/302
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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