发明名称 形成光阻图案之方法
摘要 一种形成光阻图案的方法,该方法能有效控制光阻图案之再流动制程的变化量与形态,即使再流动制程的变化量异常增加,仍可获得所需的光阻图案并具有所需的精确度。在第一层之上形成第二层,之后在第二层之上形成第一光阻图案,并以第一光阻图案做为遮罩对第二层进行选择性蚀刻。其后,调整第二或第一层之暴露表面中至少其一表面的可湿性,如此形成一可湿性被调整部分。以有机溶剂使第一光阻图案产生再流动,第一光阻图案因而改变,结果在第二层之上形成第二光阻图案以用于选择性蚀刻。
申请公布号 TW200400541 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW092105780 申请日期 2003.03.17
申请人 NEC液晶科技股份有限公司 发明人 山下正美
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本