用于磁性随机存取记忆体内之改良二极体及其制造方法

摘要

一种资料储存装置被揭露具有多数条字元线（26，28），多数条位元线（20，22，24），及一电阻交点阵列之记忆体细胞（40–50）。每一记忆体细胞被连接至一位元线及被连接至一隔离二极体（88），其更连接至一个别的字元线。该隔离二极体（88）提供由该位元线至该字元线之一单向导通路径。每一字元线提供与每一二极体之一共用金属–半导体接触来共用该字元线，使得每一个二极体在该共同金属–半导体接触之半导体部份及其分别记忆体细胞之间具有一个别的金属接触。