使用改良式双重金属镶嵌之半导体元件之金属内连线层的形成方法

摘要

一种半导体元件之金属内连线层的形成方法包括形成一薄膜，此薄膜所包括之材料对于介层绝缘薄膜上所进行之灰化制程所使用之介质具有高选择性。此方法更包括在进行灰化制程的期间改变此薄膜的特性，以形成具有双重金属镶嵌结构之内连线图案线路。接着将一导体材料，如铜金属，沈积于内连线图案线路上，并透过化学机械研磨的方式将其平坦化，以形成具有单一金属镶嵌结构的无凹陷接触窗。