| 摘要 |
本发明揭示由一p型第二A1GaInP包覆层8、一p型GaInP层间9及一p型GaAs覆盖层10构成的一脊状区段系在一蚀刻终止层7上形成。一不小于0.13μm的台阶形成于该p型层间9与该p型第二包覆层8之间，其系藉由使该p型层间9在二宽度方向上突出于该p型第二包覆层8之外而形成。藉由此台阶，各A1InP层可以在该脊状区段两侧及该脊状区段之上相互分开形成。因此，当藉由蚀刻将该脊状区段上的A1InP层移除时，位于该脊状区段两侧的一A1InP电流收缩（constriction）层13会受到一阻剂薄膜的可靠保护，且不会遭到过度蚀刻。该A1InP电流收缩层13能有效执行电流收缩功能，以便获得一低临限电流与低功率消耗的半导体雷射装置。 |
