缩小积体电路之接触部尺寸以制造多阶层接触之方法

摘要

一种用于形成积体电路的方法，包括在第一半导体基板之半导体装置上于介电材料中蚀刻第一开口至第一深度并且在该第一半导体基板上于该介电材料中蚀刻第二开口至第二深度。由于蚀刻滞缓之故，在约相同的时间中分别蚀刻该不同大小之第一及第二开口至该第一及第二深度，而该第一及第二开口系填充有导电材料。