| 主权项 |
1.一种控制导线片电阻之方法,至少包括下列步骤:形成至少一第一介电层于一半导体基底上,该第一介电层中具有两第一沟渠,该第一沟渠中填入有一第一导体层;沉积至少一第二介电层于该第一介电层与该第一导体层上;量测该第二介电层厚度a;形成两第二沟渠于该第二介电层表面,并量测该第二沟渠宽度b,其中该第二沟渠之一侧沟渠对准于该第一沟渠之另一侧沟渠;量测该第二沟渠与该第一沟渠间之厚度c;沉积一第二导体层于该第二介电层表面;化学机械研磨该第二导体层而停止于该第二介电层,以形成该导线;以及量测该第二介电层厚度d。2.如申请专利范围第1项之控制导线片电阻之方法,其中b値为该导线之宽度。3.如申请专利范围第1项之控制导线片电阻之方法,其中d与c之差値d-c(=e)为该导线之深度。4.如申请专利范围第3项之控制导线片电阻之方法,其中a与d之差値a-d(=f)为进行化学机械研磨时,该第二介电层之损耗。5.如申请专利范围第1项之控制导线片电阻之方法,其中藉由控制a、b、c与d値于制程标准内,则可以控制该导线片电阻。6.如申请专利范围第1项之控制导线片电阻之方法,其中以微影制程与蚀刻技术形成该第二沟渠于该第二介电层表面。7.如申请专利范围第6项之控制导线片电阻之方法,其中于微影制程之显影步骤后量测该第二沟渠宽度b。8.如申请专利范围第6项之控制导线片电阻之方法,其中于蚀刻步骤后量测该第二沟渠宽度b。9.如申请专利范围第1项之控制导线片电阻之方法,其中以物理气相沉积方式沉积该第二导体层于该第二介电层表面。10.如申请专利范围第1项之控制导线片电阻之方法,其中该第二介电层材质选自二氧化矽、氮化矽、硼磷矽玻璃、旋涂式玻璃、低介电常数材料之一。11.如申请专利范围第1项之控制导线片电阻之方法,其中该第二导体层材质选自铜、铝/铜、铝/矽/铜之一。12.一种控制导线片电阻之方法,至少包括下列步骤:沉积至少一介电层于一半导体基底上;量测该介电层厚度a;形成一沟渠于该介电层表面,并量测该沟渠宽度b;量测该沟渠与该半导体基底间之厚度c;沉积一导体层于该介电层表面;化学机械研磨该导体层而停止于该介电层,以形成该导线;以及量测该介电层厚度d。13.如申请专利范围第12项之控制导线片电阻之方法,其中b値为该导线之宽度。14.如申请专利范围第12项之控制导线片电阻之方法,其中d与c之差値d-c(=e)为该导线之深度。15.如申请专利范围第12项之控制导线片电阻之方法,其中a与d之差値a-d(=f)为进行化学机械研磨时,该介电层之损耗。16.如申请专利范围第12项之控制导线片电阻之方法,其中藉由控制a、b、c与d値于制程标准内,则可以控制该导线片电阻。17.如申请专利范围第12项之控制导线片电阻之方法,其中以微影制程与蚀刻技术形成该沟渠于该介电层表面。18.如申请专利范围第17项之控制导线片电阻之方法,其中于微影制程之显影步骤后量测该沟渠宽度b。19.如申请专利范围第17项之控制导线片电阻之方法,其中于蚀刻步骤后量测该沟渠宽度b。20.如申请专利范围第12项之控制导线片电阻之方法,其中以物理气相沉积方式沉积该导体层于该介电层表面。21.如申请专利范围第12项之控制导线片电阻之方法,其中该介电层材质选自二氧化矽、氮化矽、硼磷矽玻璃、旋涂式玻璃、低介电常数材料之一。22.如申请专利范围第12项之控制导线片电阻之方法,其中该导体层材质选自铜、铝/铜、铝/矽/铜之一。图式简单说明:第1图为绘示根据习知技术于晶片周边区制作之多层导线之结构剖面示意图;第2图为绘示根据习知技术因盘凹效应于晶片周边区制作之多层导线之结构剖面示意图;第3A~3E图为绘示根据本发明于晶片周边区制作第二层导线之结构剖面流程示意图;以及第4图为绘示根据本发明因盘凹效应于晶片周边区制作之多层导线之结构剖面示意图。 |
