制造半导体晶圆之方法

摘要

本发明之内容为一种于沉积反应器内藉沉积一外延层在底材晶圆上以制造半导体晶圆之方法。经沉积外延层之后，该半导体晶圆在一含有臭氧之环境中继续接受处理。

主权项

1.一种制造半导体晶圆之方法,包括于沉积反应器内将一外延层沉积在底材半导体晶圆上;于该外延层沉积之后,在处理室内,于含臭氧环境中处理半导体晶圆;为于处理室内在含臭氧环境中接受处理,将该半导体晶圆送入处理室内;及该处理室与沉积反应器相连。2.如申请专利范围第1项之方法,包括在周围温度10℃至50℃下,将该半导体晶圆暴露于含臭氧环境中。3.如申请专利范围第1项之方法,包括于沉积该外延层之后,在含臭氧环境中处理之前,将半导体晶圆处于非氧化环境中。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶圆与其他半导体晶圆,在含臭氧环境中一起接受处理。