形成半导体栅极的方法

摘要

一种形成半导体栅极的方法，于基底上先形成包含一导体层与一顶盖层的堆栈结构。然后，于基底上形成一高密度等离子体介电层并暴露出顶盖层，其中高密度等离子体介电层顶部高于导体层顶部。随后，将顶盖层去除，由于高密度等离子体介电层顶部高于导体层顶部，所以去除顶盖层后会在导体层上形成一个凹陷处。接着，于凹陷处侧壁形成氧化间隙壁，再于基底上沉积另一层覆盖凹陷处的导体层，使其与之前已形成的导体层连结成为半导体器件的栅极。

主权项

1、一种形成半导体栅极的方法，其特征在于：包括：于一基底上形成包含一第一导体层与一顶盖层的堆栈结构；于该基底上形成一高密度等离子体介电层，暴露出该顶盖层，其中该高密度等离子体介电层的顶部高于该第一导体层的顶部；去除该顶盖层，以于该第一导体层上形成一凹陷处；于该凹陷处侧壁形成一氧化间隙壁；于该基底上沉积一第二导体层，覆盖该凹陷处，使该第二导体层与该第一导体层相连结。