集成电路器件和微机电组件的整体制造方法

摘要

一种集成电路器件及微机电组件的整体制造方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底，该半导体衬底分为集成电路区域以及微机电组件区域，且该集成电路区域形成有一集成电路器件；淀积一绝缘层于该集成电路区域以及微机电组件区域上；蚀刻该绝缘层，以分隔该集成电路区域以及微机电组件区域上的绝缘层，其中集成电路区域上的绝缘层为一内层介电层，且该微机电组件区域上的绝缘层作为一牺牲层；淀积一结构层于该微机电组件区域上；淀积一介电层于该结构层及该内层介电层上；于该介电层中形成多个介电层孔，以暴露出该集成电路区域与该微机电组件区域的接触区；以及于该介电层上淀积一金属层，该金属层填入该介电层孔中。

主权项

1.一种集成电路器件及微机电组件的整体制造方法，包括下列步骤：a)提供一半导体衬底，其中该半导体衬底分为集成电路器件区域以及微机电组件区域，且该集成电路区域形成有一集成电路器件；b)淀积一绝缘层于该集成电路区域以及微机电组件区域上；c)蚀刻该绝缘层，以分隔该集成电路区域以及微机电组件区域上的绝缘层，其中，集成电路区域上的绝缘层作为一内层介电层，且该微机电组件区域上的绝缘层作为一牺牲层；d)淀积一结构层于该微机电组件区域上；e)淀积一介电层于该结构层及该内层介电层上；f)于该介电层中形成多个介电层孔，以暴露出该集成电路区域与该微机电组件区域的接触区；以及g)于该介电层上淀积一金属层，且该金属层填入该介电层孔。