发明名称 波浪状电容器及其制造方法
摘要 一种波浪状电容器及其制造方法,能够形成具有波浪状轮廓的复层结构的电容器。该方法包括:图案化该底导体层以至少形成两个相邻沟渠;形成一复层结构,该复层结构共形于该些沟渠且从相邻结构隔离,该复层结构至少包括一第一电极板层、设置于该第一电极板上的一绝缘层、以及设置于该绝缘层上的一第二电极板层,其中该第一电极板层的至少一部份与该底导体层电性连接;于该芯片上形成多个内连线,该些内连线的至少其中之一连接该第二电极板层。
申请公布号 CN1481012A 申请公布日期 2004.03.10
申请号 CN02141628.1 申请日期 2002.09.06
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 刘光文;黄仲仁
分类号 H01L21/70 主分类号 H01L21/70
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1.一种波浪状电容器的制造方法,该波浪状电容器设置于一底导体层上,该底导体层设置于一芯片的一底绝缘层上,其特征是,该方法包括下列步骤:图案化该底导体层以至少形成两个相邻沟渠;形成一复层结构,该复层结构共形于该些沟渠且从相邻结构隔离,该复层结构至少包括一第一电极板层、设置于该第一电极板上的一绝缘层、以及设置于该绝缘层上的一第二电极板层,其中该第一电极板层的至少一部份与该底导体层电性连接;以及于该芯片上形成多个内连线,该些内连线的至少其中之一连接该第二电极板层。
地址 台湾省新竹科学工业园区力行路16号