| 发明名称 | 半导体装置测试结构与形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置测试结构，除了包含一多重内连线与电性耦耦接至此多重内连线的二个相互分离的讯号传收端外，还包含用以提供接地管道的一传导元件。在此，传导元件的一端同时电性耦接至多重内连线与一讯号传收端(用以传收低电位讯号)，而另一端则电性耦接至一电位基准点。 | ||
| 申请公布号 | CN1481005A | 申请公布日期 | 2004.03.10 |
| 申请号 | CN02136843.0 | 申请日期 | 2002.09.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 江顺旺;简维廷 |
| 分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置测试结构，包含：一多重内连线；第一讯号传收端，该第一讯号传收端电性耦接至该多重内连线的一端；第二讯号传收端，该第二讯号传收端电性耦接至该多重内连线的另一端；以及传导元件，该传导元件的一端电性耦接至该多重内连线，该传导元件的另一端则电性耦接至一电位基准点。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||