| 主权项 |
1.一种形成双极接面电晶体之制程,其包括:于基板中形成与第二隔绝结构隔离的第一隔绝结构;在该第一及第二隔绝结构之间形成一射极堆积;在该基板中的该射极堆积及该第一隔绝结构之间形成一自动对准凹口;以及在该第一及第二隔绝结构之间形成双极接面电晶体。2.如申请专利范围第1项之制程,进一步包括:在该自动对准凹口中植入一自动对准集极垫。3.如申请专利范围第1项之制程,其中,形成自动对准凹口进一步包括:对光罩进行图样处理,以曝露出一部份的第一隔绝结构、一部份的射极堆积、以及该第一隔绝结构与该射极堆积之间的一部份基板;以及以蚀刻配方蚀刻该自动对准凹口,其中,该配方对该第一隔绝结构与该射极堆积的选择性高于该基板。4.如申请专利范围第1项之制程,其中,形成自动对准凹口进一步包括:对光罩进行图样处理,以曝露出一部份的第一隔绝结构、一部份的射极堆积、以及该第一隔绝结构与该射极堆积之间的一部份基板;以及以蚀刻配方,以非等向性的方式蚀刻该自动对准凹口,其中,该配方对该第一隔绝结构与该射极堆积的选择性高于该基板。5.如申请专利范围第1项之制程,其中,在该形成自动对准凹口中植入自动对准集极垫包括:对光罩进行图样处理,以曝露出至少一部份的第一隔绝结构以及射极堆积;以及在该自动对准凹口所曝露出来的基板中植入掺杂物。6.如申请专利范围第1项之制程,其中,在该形成自动对准凹口中植入自动对准集极垫包括:对光罩进行图样处理,以曝露出至少一部份的第一隔绝结构以及射极堆积;以及在该凹口所曝露出来的基板中植入掺杂物,其中,掺杂的结果为P--型集极垫、P-型集极垫、P型集极垫、P+型集极垫、P++型集极垫、N--型集极垫、N-型集极垫、N型集极垫、N+型集极垫以及N++型集极垫。7.如申请专利范围第1项之制程,其中,在该第一及第二隔绝结构之间形成双极接面电晶体包括:在该基板中形成一磊晶层;在该磊晶层之上形成一多晶矽膜;以及对该多晶矽膜进行图样处理,使其变成射极多晶矽。8.如申请专利范围第1项之制程,其中,在该第一及第二隔绝结构之间形成双极接面电晶体包括:在该基板中形成一磊晶层;在该磊晶层之上形成一多晶矽膜;对该多晶矽膜进行图样处理,使其变成射极多晶矽;以及在该射极堆积中形成分隔区。9.如申请专利范围第1项之制程,其中,在该第一及第二隔绝结构之间形成双极接面电晶体包括:在该基板中植入一集极结构;在该基板中形成一磊晶层;在该磊晶层之上形成一多晶矽膜;以及对该多晶矽膜进行图样处理,使其变成射极多晶矽,其中,该射极多晶矽系位于该集极结构之上。10.如申请专利范围第1项之制程,其中,形成射极堆积包括:在该基板中形成一磊晶层;在该磊晶层之上形成一多晶矽膜;对该多晶矽膜进行图样处理,使其变成射极多晶矽,其中,对该多晶矽膜进行图样处理使其变成射极多晶矽进一步包括:对该多晶矽膜上方的硬光罩进行图样处理。11.如申请专利范围第1项之制程,其中,形成射极堆积包括:在该基板中形成一磊晶层;在该磊晶层之上形成一介电质层;在该介电质层中形成一射极截止区;在该磊晶层之上形成一多晶矽膜;以及对该多晶矽膜进行图样处理,使其变成射极多晶矽。12.如申请专利范围第1项之制程,进一步包括:在该基板中形成一埋植层。13.一种双极接面电晶体,其包括:于基板中形成一与第二隔绝结构隔离的第一隔绝结构;于该基板之上,该第一隔绝结构及该第二隔绝结构之间放置一射极堆积;在该射极堆积及该第一隔绝结构附近及两者之间放置一凹口,其中,该凹口会曝露出一集极垫。14.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,进一步包括:在该射极堆积上放置一分隔区,其中,该分隔区会于该射极堆积的其中一边延伸至该射极堆积与该第一隔绝结构之间的凹口。15.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,进一步包括:在该射极堆积中放置一分隔区,其中,该分隔区会于该射极堆积的其中一边延伸至该射极堆积与该第一隔绝结构之间的凹口,其中,该分隔区系从下面的材料中选择出来:氧化物、氮化物、第一氧化物层及第二氮化物层、第一氮化物层及第二氧化物层、第一氧化物层及第二氧化物层、第一氮化物及第二氮化物。16.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,进一步包括:在该射极堆积中放置一分隔区,其中,该分隔区会于该射极堆积的其中一边延伸至该射极堆积与该第一隔绝结构之间的凹口,其中,该分隔区会进一步地被放置在该第一隔绝结构中,并且延伸至该凹口。17.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,进一步包括:在该第一隔绝结构与该第二隔绝结构之间的基板中放置一埋植层。18.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,进一步包括:于该基板中放置在该射极堆积下方的磊晶基极层;于该基板中放置在该射极堆积下方的集极结构;以及放置在该射极堆积与该集极结构之间的本质基极结构。19.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,进一步包括:于该基板中放置在该射极堆积下方的磊晶基极层;于该基板中放置在该射极堆积下方的集极结构;以及放置在该基板之上且位于该射极堆积下方的介电质层,其中该介电质层包括位于该集极结构上方的射极截止区;以及放置在该射极截止区与该集极结构之间的本质基极结构。20.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,进一步包括:于该基板中放置在该凹口中的集极垫,其中,该集极垫系从下面的构造中选择出来:P--型集极垫、P-型集极垫、P型集极垫、P+型集极垫、P++型集极垫、N--型集极垫N-型集极垫、N型集极垫、N+型集极垫以及N++型集极垫。21.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,其中,该基板包括双极互补型金属氧化半导体(BiCMOS)结构。22.如申请专利范围第13项之双极接面电晶体,其中,该BJT系从下面的构造中选择出来:单质接面BJT元件及异质接面BJT元件。23.一种双极接面电晶体(BJT)布局,其包括:一磊晶基极层周围;一放置在该基极层周围之上的射极堆积周围;以及一集极垫周围,其中,该射极堆积周围及该集极垫周围会共用一共线的第一边界。24.如申请专利范围第23项之BJT布局,其中,该射极堆积周围及该磊晶基极层周围系相互交叉的。25.如申请专利范围第23项之BJT布局,其中,该集极垫周围及该磊晶基极层周围会共用一共线的第二边界及一共线的第三边界。26.如申请专利范围第23项之BJT布局,进一步包括:一基极垫周围,其中,该基极垫周围系被该磊晶基极层周围包围住。图式简单说明:图1所示系半导体结构的剖面图,该结构可制造在根据本发明实施例之双极接面电晶体(BJT)之中;图2所示系图1的半导体结构进一步处理之后的剖面图;图3所示系图2的半导体结构进一步处理之后的剖面图;图4所示系图3的半导体结构进一步处理之后的剖面图;图5所示系图4的半导体结构进一步处理之后的剖面图;图6所示系BJT布局的一实施例之平面图,其中显示出各种结构的周围;图7所示系BJT布局的一实施例之平面图,其中显示出各种结构的周围;图8所示系根据本发明之实施例的处理流程之流程图;图9所示系根据现有技术制造而成的半导体结构剖面图;以及图10所示系先前技艺BJT布局的平面图,其中显示出各种结构的周围。 |
