金属层顶上具钨或钨化合物层之搭接垫

摘要

一种形成在IC基材的预先决定区域上之搭接垫，其包括在微影及于含Cl2的电浆中电浆蚀刻时，可快速及完全地移除的冗余层及钝化层，该搭接垫包括：在IC基材的预先决定区域上形成的内衬或较低金属层；在该内衬层上形成的铝基底金属层做为搭接目的的最后金属层；在该铝基底最后金属层顶上形成的钨基底冗余层；及在该IC基材及该钨基底冗余层上形成的钝化层。