半导体装置

摘要

本发明系提供一种半导体装置，其课题在于：微波FET中内存之肖特积接合电容或PN接合电容较小，且这些接合对静电之抵抗较弱。然而在微波装置中，连接保护二极体所形成之寄生电容的增加会导致高频特性劣化，故无法采用此方法。本发明之解决方式系在FET的两端子间，并联由第1N＋型区域、绝缘区域、第2N＋型区域所构成的保护元件。可在彼此接近的第1、第2N＋型区域间放电，所以不会增加寄生电容，而得以使到达FET动作区域之静电能量降低。