半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之目的是获得可以同时使闸极电极低电阻化并使泄漏电流减小之半导体装置及其制造方法。本发明之解决手段是在由掺杂多晶矽层4、钨层5和SiON层8构成之3层多金属闸极11下，形成具有作为闸极氧化膜功能之局部氧化膜6。该局部氧化膜6在掺杂多晶矽层4之边缘近傍进行侵蚀而形成，使3层多金属闸极11之边缘近傍下之膜厚比部下为厚。然后，以3层多金属闸极11不会露出之方式，以氧化防止膜7覆盖，该氧化防止膜7由氧之扩散速度比在多晶矽慢之材料构成。