发明名称 处理记忆体中缺陷之装置与方法
摘要 本发明提供了一处理卡型(card–type)记忆体单元(例如一快闪记忆卡)中的缺陷之装置与方法,其可以检测出上述记忆体单元之一有缺陷的位置,并且可以以一不同的记忆体区来取代一具有已检测出是有缺陷位置之一记忆体区,或者是忽略它。上述之方法包括:第一步骤,执行一记忆体之功能测试操作并收集该测试之结果;第二步骤,若根据上述收集结果,在目前上述记忆体中没有缺陷被测试到,则提供无缺陷讯息;第三步骤,若在第二步骤中有缺陷被测试到,则决定是否一具有一缺陷之相关的有缺陷的区块(defectiveblock)之无缺陷(defect–free)操作已经被执行;第四步骤,若在第三步骤中无缺陷(defect–free)操作尚未被执行测试时,则对相关的有缺陷的区块(defectiveblock)执行上述无缺陷(defect–free)操作;第五步骤,若在第三步骤中无缺陷(defect–free)操作已经被执行测试时,决定缺陷是否严重,并且如果已被测试之缺陷是不严重的,则对一具有该有缺陷的区块(defectiveblock)之一特定的记忆体提供取代讯息;以及,第六步骤,若已被测试之缺陷是严重的,则对一包括上述记忆体之一记忆体卡提供摒弃讯息。
申请公布号 TW200404301 申请公布日期 2004.03.16
申请号 TW091135613 申请日期 2002.12.09
申请人 三星电机有限公司 发明人 郑在成
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 周信宏
主权项
地址 韩国