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1.一种微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System;MEMS)可调式光衰减器,包含:一可动遮光元件,用以衰减一光讯号的耦合能量;一第一光纤,于该可动遮光元件之一侧呈横向配置,其面对该可动遮光元件之一端具有一第一斜面;以及一第二光纤,于该可动遮光元件之另一侧呈横向配置,其面对该可动遮光元件之一端具有一第二斜面;其中,该第二光纤与该第一光纤位于同一平面上,该第一斜面与该第二斜面平行相对而相距一第一距离,且该第二光纤之中心轴线相对于该第一光纤之中心轴线偏移一第二距离。2.如申请专利范围第1项之微机电系统可调式光衰减器,其中该第一斜面与该第二斜面之倾斜角度系为相同,以减少该光讯号在该第一光纤内的反射并降低插入损失(Insertion Loss)。3.如申请专利范围第1项之微机电系统可调式光衰减器,其中该第一斜面与该第二斜面之倾斜角度之间存在一角度差,且该角度差落在一特定范围内,以减少该光讯号在该第一光纤内的反射并降低插入损失。4.如申请专利范围第2项或第3项之微机电系统可调式光衰减器,其中该第一斜面之倾斜角度之设计使该光讯号在该第一光纤之该第一斜面处的反射部分无法在该第一光纤内部产生全反射。5.如申请专利范围第2项或第3项之微机电系统可调式光衰减器,其中该第二距离决定于该第一距离与该第一斜面之倾斜角度。6.如申请专利范围第1项之微机电系统可调式光衰减器,其中该第一光纤及该第二光纤系分别位于一光纤定位装置中。7.一种微机电系统可调式光衰减器的制造方法,包含下列步骤:将一第一光纤之一端面切成一第一斜面;将一第二光纤之一端面切成一第二斜面;将该第一光纤横向配置于一可动遮光元件之一侧,使该第一光纤之该端面面对该可动遮光元件;及于该可动遮光元件之另一侧,相距该第一光纤之该端面一第一距离处将该第二光纤横向配置,以使该第一光纤与该第二光纤位于同一平面上且该第一斜面与该第二斜面平行相对。8.如申请专利范围第7项之微机电系统可调式光衰减器的制造方法,其中该第一斜面与该第二斜面之倾斜角度系为相同。9.如申请专利范围第7项之微机电系统可调式光衰减器的制造方法,其中该第一斜面与该第二斜面之倾斜角度系不相同。10.如申请专利范围第8项或第9项之微机电系统可调式光衰减器的制造方法,其中该第二光纤之中心轴线相对于该第一光纤之中心轴线偏移一第二距离,且该第二距离决定于该第一距离与该第一斜面之倾斜角度。11.如申请专利范围第8项或第9项之微机电系统可调式光衰减器的制造方法,其中该第一斜面之倾斜角度之设计使一光波在该第一光纤之该第一斜面处的反射部分无法在该第一光纤内部产生全反射。图式简单说明:图1系一习知微机电系统可调式光衰减器之上视图;图2系一示意图,用以说明一光线进入一光纤的行进路线;图3系本发明一实施样态之微机电系统可调式光衰减器的上视图;图4系一示意图,用以说明图3中一光线在光纤斜端面处反射后之行进路线;及图5系一示意图,用以说明图3中一光讯号通过光纤斜端面后的行进路线。 |
