| 主权项 |
1.一种深沟渠构造之形成方法,应用于一半导体制程中一电容制作上,其方法包含:提供一基板;于该基板上形成一罩幕层;对该罩幕层进行定义而形成一罩幕,该罩幕包含有一第一部分与一第二部分,其中该厚度较小之该第一部分与厚度较大之第二部分间形成一罩幕开口;以及利用该罩幕开口对该基板进行蚀刻,藉以得致一深沟渠构造,而因该罩幕第一部分对蚀刻之遮罩影响,导致该深沟渠构造中具有一底部隆起部,而该底部隆起部之顶部系低于该基板之表面,进而增加该深沟渠构造之表面积。2.如申请专利范围第1项所述之深沟渠构造之形成方法,其中对该罩幕层进行定义而形成该罩幕之步骤包含:于该罩幕层上形成一光阻层;对该光阻层进行一光罩微影制程,该光罩系包含一由复数个基本上相同形状之小单元紧邻所构成之图案,进而去除该图案中之部份该光阻层而形成一光低开口;以及利用该光阻开口对该罩幕层进行蚀刻而形成包含该第一厚度与该第二厚度之该罩幕。3.如申请专利范围第2项所述之深沟渠构造之形成方法,其中该等基本上相同形状之小单元间之距离约为50奈米。4.如申请专利范围第1项所述之深沟渠构造之形成方法,其中该基板系为一矽基板。5.如申请专利范围第4项所述之深沟渠构造之形成方法,其中该罩幕层系包含:一氮化矽层,形成于该矽基板上;以及一经掺杂之氧化矽层,形成于该氮化矽层上。6.如申请专利范围第5项所述之深沟渠构造之形成方法,其中该经掺杂之氧化矽层之材质系为硼矽玻璃。7.如申请专利范围第5项所述之深沟渠构造之形成方法,其中该罩幕之第一部分系为一厚度较小之氮化矽刻面。图式简单说明:第一图(a)(b)(c)(d):其系为一传统深沟渠式电容之构造及制造流程示意图。第二图(a)(b)(c)(d):其系为本案之较佳实施例示意图。第三图:其系为本案光罩图案之变化例示意图。 |
