| 摘要 |
一种具有电荷储存元件效能之金氧半电晶体，可作为一种非挥发性记忆体元件或扩大器，利用该元件之电荷储存特性而调变在源极和汲极之间通道的导电性。在一掺杂之基板上，一层闸极氧化层由基板将一层掺杂电性隔离之电荷储存层隔开。一层在其上之隧道障碍层将电荷储存层由奈米晶体层隔开，该奈米晶体层能够在奈米晶体层上并被氧化层所分隔之控制闸的影响下，接收或分发电荷到电荷储存层。电荷储存层上的电荷影响通道之导电性。该元件可以记忆体模式运作，例如EEPROM，或是以扩大器模式运作，其中闸极电压之变化反应在通道之导电性变化上。 |
