| 摘要 |
本发明提供一种于整批晶圆形成均匀薄膜层之制造方法，首先系放置一批晶圆于一晶舟上，第一次正向进入一垂直炉管中，用以形成一薄膜层于每一晶圆上，其中，该每一薄膜层系依在垂直炉管之所在位置而有不同之厚度；退出上述晶舟于上述垂直炉管外部，并且倒置上述晶舟，再第二次倒置进入上述垂直炉管中，继续增厚上述薄膜层，以使上述各晶圆上之薄膜层具有大体相同之厚度。其中当薄膜层为氧化层时，可进一步应用于快闪记忆体之浮置闸极的制造，其于各晶圆之矽导电层上形成一厚度大体相同之薄氧化层(oxide)，藉此可使各晶圆于后续利用热氧化法在浮动闸极上方形成鸟嘴形氧化层时，得到一致且较佳的轮廓。 |
