金属有机化学气相沈积法以及氧氮化金属和氧氮化金属矽之原子层沈积

摘要

本发明系关于闸极和电容器介电物，其用以制造先进高k堆叠结构。根据本发明，金属烷基醯胺用于MOCVD或ALD法中，以制造氧氮化金属或氧氮化金属矽膜。此氧氮化金属或氧氮化金属矽膜可以位于矽基板和掺杂的多晶状矽(多Si)或金属电极层之间。