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发明名称
形成半导体元件之图案的方法
摘要
〔课题〕提供一种形成半导体元件之图案的方法,于半导体元件之光阻图案之形成过程中,藉由对反射防止膜进行蚀刻形成细微之弯曲,而可以增加光阻及反射防止膜间之接触面积,防止光阻图案崩落现象的产生。〔解决手段〕包括:(a)涂布有机反射防止膜组成物于被蚀刻层之上部,再进行烘烤而形成有机反射防止膜;(b)对上述所形成之有机反射防止膜进行蚀刻步骤,而形成细微之弯曲于有机反射防止膜上;及(c)涂布光阻于上述有机反射防止膜上,于曝光后显像,而形成光阻图案。
申请公布号
TW200406030
申请公布日期
2004.04.16
申请号
TW092109572
申请日期
2003.04.24
申请人
海力士半导体有限公司
发明人
李晟求;郑载昌;黄永善;卜圭;申起秀
分类号
H01L21/31
主分类号
H01L21/31
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
韩国
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