| 摘要 |
一种在尤其是结晶基板上气相沉积尤其是结晶薄膜之方法及装置，包括一加热反应室(1)、一承载至少一基板(3)之基板座(2)、一或多种加热材料源(4)，由于一与材料源携带气体一起输入之卤素，尤其是HC1，与其中一材料源(4至7)，例如Ga，In，Al的化学反应而生成一气态卤化物，该卤化物经一进气机构(10)而流至位在水平平面之基板座(2)所承载的基板(3)，并包括一将氢化物，尤其是NH3，AsH3及／或PH3，输入反应室的输入管(8)。依据本发明，基板座(2)具一垂直轴(9)，复数个基板环绕该垂直轴而放置于基板座上，且进气机构(10)延伸于垂直轴(9)上，设在进气机构(10)中的材料源(4至7)可与反应室(1)分开加热。 |
